El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
| Parámetros | MOS | Bipolar |
| Impedancia de entrada | Alta (1010 ohmios) | Media (104 ohmios) |
| Ganancia en corriente | Alta (107) | Media (10-100) |
| Resistencia ON (saturación) | Media / alta | Baja |
| Resistencia OFF (corte) | Alta | Alta |
| Voltaje aplicable | Alto (1000 V) | Alto (1200 V) |
| Máxima temperatura de operación | Alta (200ºC) | Media (150ºC) |
| Frecuencia de trabajo | Alta (100-500 Khz) | Baja (10-80 Khz) |
| Coste | Alto | Medio |
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:
- Trabaja con tensión.
- Tiempos de conmutación bajos.
- Disipación mucho mayor (como los bipolares).
- Pequeñas fugas.
- Alta potencia.
- Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.
- Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.
- Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima elevada).
- Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.
